FB-DIMM内存模组技术

　　为了适应计算机技术的飞速发展，扩展内存子系统的发展空间，在2004年4月份的春季Intel信息技术峰会，即原Intel开发者论坛（Intel Developer Forum，IDF）上，Intel公布了一种全新的内存规范--FB-DIMM（Fully Buffered DIMM，全缓冲内存模组），以解决普通的无缓冲DDR 与 Registered DDR内存发展的局限性问题。

　　FB-DIMM是Intel开发的一种内存模组技术，并不是一种新的内存芯片技术，是Intel继RDRAM之后第二次押注的新型内存架构。鉴于上一次的失败经验，这次的FB-DIMM采用的是现有的DDR2内存颗粒，主要的技术差异在于它采用了一颗AMB （Advanced Memory Buffer，先进内存缓冲器）芯片将数据由并行转换为高速串行方式传输给CPU。与现有内存架构相比，每信道内存容量高出4倍，内存频宽则增加了33%。FB-DIMM内存体系结构如图3-38所示，是一种新型的串行点对点连接结构，类似于PCI Express的信号总线。

图3-38  FB-DIMM体系结构

　　FB-DIMM内存和目前市场上的DDR内存相似。从外观上看的话，唯一的区别是中间的方形芯片和金手指上的两个缺口位置不一样。图3-39中的上、下图分别展示了FB-DIMM模组架构内存的两面。

图3-39  FB-DIMM模组架构内存

　　但实际上，新型的FB-DIMM架构与现在的DIMM内存有着截然不同的运作机理。DIMM与内存控制器之间的数据和命令传输不再采用传统的并行线路，而采用了类似于PCI-Express的串行接口多路并联的设计，以串行的方式进行数据传输。
　　下面来全面了解这一新型的内存体系架构。